### 一、產品簡介

2SK960-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單N溝道MOSFET。它設計用于高壓高功率應用，具有950V 的漏源電壓（VDS）和 ±30V 的柵源電壓（VGS），適用于需要高電壓和高電流的開關和放大電路。通過平面（Plannar）技術，這款MOSFET具有較低的導通電阻（RDS(ON)），在10V的柵極驅動電壓下為 2400mΩ，使其在高壓應用中能保持較低的導通損耗。

### 二、詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 950V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2400mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術**: 平面（Plannar）

### 三、應用領域和模塊示例

1. **電源開關**:
  2SK960-VB 可用于高壓電源開關，如開關電源、逆變器等。其高漏源電壓和導通電流能力，使其成為高性能電源開關的理想選擇。

2. **電動汽車充電樁**:
  在電動汽車充電樁中，這款MOSFET 可用于高壓直流充電樁的開關控制。其高漏源電壓和低導通電阻有助于提高充電效率和穩定性。

3. **工業高壓應用**:
  2SK960-VB 適用于工業高壓開關電路，如高壓電機驅動、高壓電源等。其穩定可靠的性能有助于提高工業設備的效率和可靠性。

4. **照明系統**:
  在需要高電壓的LED照明系統中，這款MOSFET 可用于LED驅動器的開關控制。其高導通電流和低導通電阻有助于提高LED照明的效率和穩定性。

綜上所述，2SK960-VB 是一款高性能的N溝道MOSFET，適用于需要高電壓、高電流和高效率的各種高壓電子應用。