--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**2SK950-VB**是一款由VBsemi生產的N溝道功率MOSFET,采用TO220封裝。它適用于各種高壓高效能電力管理應用,特別是在需要高開關頻率和低導通電阻的場合。該MOSFET具有600V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS),并采用平面結構技術制造,具有良好的高壓性能和低導通電阻。
### 二、詳細參數說明
- **型號**:2SK950-VB
- **封裝**:TO220
- **類型**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:600V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:1070mΩ @ VGS=4.5V, 780mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:8A
- **技術**:平面結構(Plannar)

### 三、適用領域和模塊
**2SK950-VB** 適用于以下領域和模塊:
1. **電源管理模塊**:
- **高壓DC-DC轉換器**:由于其高漏源電壓和低導通電阻特性,2SK950-VB適合用于高壓DC-DC轉換器,能夠提高轉換效率和減少能量損耗。
- **高壓AC-DC適配器**:在高壓AC-DC適配器中,2SK950-VB能夠提供穩定的電源輸出,并有效管理電源轉換過程。
2. **電動汽車充電樁**:
- 2SK950-VB適用于電動汽車充電樁的高壓電源管理電路中,能夠提供穩定的高壓輸出,確保充電樁的高效充電。
3. **工業高壓控制**:
- **高壓控制電路**:在工業高壓控制系統中,2SK950-VB用于控制電路,可以提高系統的可靠性和響應速度。
- **高壓電源模塊**:在工業高壓電源模塊中,2SK950-VB能夠提供高效的電流傳輸和穩定的電源輸出。
通過這些應用實例,2SK950-VB展示了其在高壓高效能電力管理領域中的廣泛應用潛力,能夠滿足各種不同環境下的需求。
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