--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**2SK806-VB**是一款由VBsemi生產的單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該器件具有高擊穿電壓和低導通電阻的特點,適用于各種高電壓、低功率的應用場景。2SK806-VB在電源管理、電機驅動和工業控制等領域具有廣泛的應用前景。
### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **門限電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:2200mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:4A
- **技術類型**:平面技術

### 三、應用領域和模塊示例
**2SK806-VB**適用于以下領域和模塊:
1. **電源管理**:
- 在高壓、低功率的電源管理模塊中,2SK806-VB可以作為開關管使用,提供高效的電能轉換和穩定的電壓輸出,適用于工業電源和通信設備。
2. **電機驅動**:
- 在小型直流電機和步進電機驅動模塊中,該MOSFET可以作為功率開關使用,提供可靠的電流傳輸和快速響應,適用于自動化設備和醫療設備。
3. **太陽能逆變器**:
- 在太陽能發電系統中,2SK806-VB可以用于逆變器模塊,支持高效的直流到交流轉換,并保證系統的穩定運行。
4. **高壓LED驅動**:
- 在高壓LED照明系統中,該器件可以用作LED驅動電路的開關管,支持高效的電流控制和穩定的光輸出,適用于室內和室外照明應用。
5. **電動汽車充電樁**:
- 在電動汽車充電樁中,2SK806-VB可以用于功率開關和電壓穩定器,確保充電樁的高效穩定運行,適用于城市和高速公路充電站。
2SK806-VB憑借其高性能和可靠性,適用于各種高電壓、低功率的電力電子應用,是電子工程師在設計中的理想選擇。
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