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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK612-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SK612-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

2SK612-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝。該器件具有 100V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),閾值電壓為 1.8V。其主要特性之一是低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在柵源電壓為 4.5V 時為 57mΩ,在柵源電壓為 10V 時為 55mΩ。此外,該器件的漏極電流(ID)可達(dá) 25A,采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)制造,具有優(yōu)異的電氣性能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)       | 數(shù)值                    | 單位       |
|------------|-------------------------|------------|
| 封裝類型   | TO-252                  | -          |
| 配置       | 單 N 溝道               | -          |
| 漏源電壓(VDS)| 100                   | V          |
| 柵源電壓(VGS)| ±20                  | V          |
| 閾值電壓(Vth) | 1.8                  | V          |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=4.5V | 57          | mΩ         |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=10V | 55          | mΩ         |
| 漏極電流(ID) | 25                   | A          |
| 技術(shù)       | Trench                  | -          |

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理模塊**:
  2SK612-VB 在電源管理模塊中有廣泛的應(yīng)用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 電源。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在提高電源轉(zhuǎn)換效率和減少功率損耗方面表現(xiàn)優(yōu)異。

2. **電動工具和工業(yè)設(shè)備**:
  在電動工具和工業(yè)設(shè)備中,2SK612-VB 的高電流處理能力和耐高壓特性,使其能夠在高功率驅(qū)動電路中發(fā)揮重要作用。這些應(yīng)用通常需要器件具備高可靠性和耐用性,2SK612-VB 正好滿足這些需求。

3. **汽車電子**:
  汽車電子領(lǐng)域?qū)?MOSFET 的要求非常高,2SK612-VB 由于其高耐壓和大電流特性,非常適合用于電動車輛的電機(jī)控制器和電池管理系統(tǒng)中。此外,其 Trench 技術(shù)也確保了其在惡劣環(huán)境下的可靠性能。

4. **消費電子產(chǎn)品**:
  在消費電子產(chǎn)品中,2SK612-VB 常被用于電池保護(hù)電路和充電器中。其高效的導(dǎo)通電阻特性確保了設(shè)備的長時間穩(wěn)定運(yùn)行,同時提高了電池的使用壽命和充電效率。

通過以上應(yīng)用示例,可以看出 2SK612-VB 由于其優(yōu)越的電氣性能和可靠性,成為各類電子設(shè)備和模塊中的理想選擇,滿足了多個領(lǐng)域的需求。

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