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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK536-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK536-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK536-VB 是一款采用 SOT23-3 封裝的單N溝道MOSFET。它設(shè)計(jì)用于需要高效開關(guān)特性的應(yīng)用。該產(chǎn)品具有 60V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),使其適用于多種中低功率的開關(guān)和放大電路。通過(guò)先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),這款MOSFET具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在4.5V和10V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下分別為 3100mΩ 和 2800mΩ,使其在低電壓下依然能保持良好的導(dǎo)通性能。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**: SOT23-3
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V; 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開關(guān)電源**:
  2SK536-VB 在開關(guān)電源中應(yīng)用廣泛,特別是用于低功率的DC-DC轉(zhuǎn)換器。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,可以顯著提升轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。

2. **電池管理系統(tǒng)**:
  在便攜設(shè)備如手機(jī)、平板電腦和其他電池供電設(shè)備中,2SK536-VB 可用于電池保護(hù)電路。其高效的開關(guān)特性和低功耗有助于延長(zhǎng)電池壽命并提高設(shè)備的整體性能。

3. **負(fù)載開關(guān)**:
  這款MOSFET 適用于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源路徑管理等。其低RDS(ON) 確保了負(fù)載電流的高效傳輸,同時(shí)減少了發(fā)熱量。

4. **信號(hào)放大**:
  在信號(hào)放大電路中,2SK536-VB 可以作為開關(guān)元件,用于實(shí)現(xiàn)快速和精確的信號(hào)處理。其穩(wěn)定的Vth 和寬范圍的VGS 使其在各種信號(hào)條件下表現(xiàn)出色。

總體而言,2SK536-VB 是一款多功能的N溝道MOSFET,適用于需要高效和可靠開關(guān)特性的各種電子應(yīng)用。

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