--- 產品參數 ---
- 封裝 TO3P封裝
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SK3905-VB 產品簡介
2SK3905-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO-3P封裝,具有高漏源電壓和低導通電阻。其設計基于SJ_Multi-EPI技術,能夠提供穩定可靠的性能,在高壓應用中表現出色。廣泛應用于電源管理、開關電源、照明控制等領域。
### 2SK3905-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO-3P
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:600V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:380mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:11A
- **技術**:SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊舉例
1. **電源管理**:2SK3905-VB 在高壓電源管理中具有優異的性能,可用作開關電源中的開關元件,提供高效的電源轉換和穩定性能。
2. **開關電源**:該型號的MOSFET適用于各種開關電源設計,包括充電器、逆變器和DC-DC轉換器等。其高漏源電壓和低導通電阻使其在高壓環境下能夠有效地控制電流。
3. **照明控制**:2SK3905-VB 可用于LED照明控制中,作為調光和開關控制的關鍵組件。其高漏源電壓和低導通電阻有助于提高照明系統的效率和穩定性。
綜上所述,2SK3905-VB 是一款適用于高壓環境的高性能MOSFET,可廣泛應用于電源管理、開關電源和照明控制等領域,為系統設計提供穩定可靠的性能。
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