### 產品簡介

**2SK3880-VB**是一款由VBsemi推出的高壓N溝道MOSFET。該器件采用TO3P封裝，適用于高壓應用場合。具有高耐壓能力和穩定性，適用于要求高耐壓的功率轉換電路。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2SK3880-VB
- **封裝**: TO3P
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

1. **電源逆變器**:
  - **描述**: 由于2SK3880-VB具有高耐壓和穩定性，適用于電源逆變器中的高壓開關。
  - **示例**: 在太陽能逆變器或工業電源系統中，該器件可用于實現直流到交流的高效轉換。

2. **高壓電源模塊**:
  - **描述**: 該MOSFET適用于要求高耐壓的高壓電源模塊。
  - **示例**: 在X射線設備或高壓電源系統中，該器件可用于控制高壓電源的穩定輸出。

3. **電力傳輸**:
  - **描述**: 2SK3880-VB適用于電力傳輸系統中的高壓開關。
  - **示例**: 在電力輸送線路中，該器件可用于控制電力傳輸的穩定性和效率。

4. **醫療設備**:
  - **描述**: 由于其高耐壓能力，該MOSFET適用于醫療設備中的高壓電源模塊。
  - **示例**: 在醫用X射線機或核磁共振設備中，該器件可用于控制高壓電源的輸出，確保設備的穩定運行。

通過以上示例，可以看出2SK3880-VB MOSFET適用于要求高耐壓的各種應用領域，具有良好的性能和可靠性，是高壓功率轉換電路中的理想選擇。