### 2SK3879-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
2SK3879-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用TO-220F封裝，具有高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻。其設(shè)計(jì)基于SJ_Multi-EPI技術(shù)，能夠提供穩(wěn)定可靠的性能，在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電源、照明控制等領(lǐng)域。
### 2SK3879-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**：TO-220F
- **配置**：?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：800V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：5A
- **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI
### 適用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源管理**：2SK3879-VB 在高壓電源管理中具有優(yōu)異的性能，可用作開關(guān)電源中的開關(guān)元件，提供高效的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定性能。
2. **開關(guān)電源**：該型號(hào)的MOSFET適用于各種開關(guān)電源設(shè)計(jì)，包括充電器、逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其在高壓環(huán)境下能夠有效地控制電流。
3. **照明控制**：2SK3879-VB 可用于LED照明控制中，作為調(diào)光和開關(guān)控制的關(guān)鍵組件。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻有助于提高照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
綜上所述，2SK3879-VB 是一款適用于高壓環(huán)境的高性能MOSFET，可廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電源和照明控制等領(lǐng)域，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供穩(wěn)定可靠的性能。
