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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SK3816-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 2SK3816-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 2SK3816-VB MOSFET 產品簡介

2SK3816-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO263 封裝,具有高功率處理能力和低導通電阻。采用先進的 Trench 技術,適用于要求高效能和高可靠性的功率管理應用,如開關電源、逆變器、電機驅動器和電池管理系統等。

### 2SK3816-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 35mΩ @ VGS = 4.5V
 - 32mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **電源轉換器**: 由于 2SK3816-VB 具有低導通電阻和高電流處理能力,因此非常適合用于開關電源模塊,能夠提高轉換效率和降低功耗。

2. **逆變器**: 在逆變器應用中,2SK3816-VB 可以用于太陽能逆變器、風力發電逆變器等系統,其高可靠性和高功率處理能力能夠確保系統的穩定性和效率。

3. **電機驅動**: 這款 MOSFET 適用于各種電機驅動器,如工業電機、電動汽車驅動器等,能夠提供穩定的電流輸出并降低能量損耗。

4. **電池管理系統**: 在電池管理系統中,2SK3816-VB 可以用于充放電控制模塊,其高功率處理能力和低導通電阻確保了電池系統的高效充放電和穩定性。

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