### 一、產品簡介

VBsemi 2SK3767_06-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET，具有高耐壓特性和低導通電阻。采用 TO220F 封裝，適合用于需要高耐壓和低功率的應用場合。該器件采用平面技術（Plannar Technology），具有良好的穩定性和可靠性，適用于要求高性能和穩定性的電路設計。

### 二、詳細參數說明

| 參數名稱         | 參數值                               |
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| 封裝類型          | TO220F                              |
| 配置             | 單 N 溝道                            |
| 最大漏源電壓 (VDS) | 650V                                |
| 最大柵源電壓 (VGS) | ±30V                                |
| 閾值電壓 (Vth)    | 3.5V                                |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 1700mΩ @ VGS=10V                   |
| 最大漏極電流 (ID)  | 2A                                  |
| 技術             | 平面（Plannar）                       |

### 三、應用領域和模塊

VBsemi 2SK3767_06-VB MOSFET 適用于以下領域和模塊：

1. **電源逆變器：**
  2SK3767_06-VB 可以用于逆變器電路中，提供高耐壓和低功率損耗的能量轉換。

2. **照明驅動：**
  在LED照明驅動領域，該器件可以用作LED驅動電路中的功率開關，實現高效的照明控制。

3. **太陽能逆變器：**
  適用于太陽能逆變器中的功率控制模塊，提供穩定的能量轉換和太陽能電池板的輸出調節。

4. **電動車充電器：**
  在電動車充電器中，該器件可以用于功率開關和電池充電控制，提供高效能的電池充電方案。

5. **工業控制：**
  適用于工業控制系統中的電源管理和控制模塊，如PLC控制器、工業機器人等設備。

通過以上應用場景的介紹，可以看出VBsemi 2SK3767_06-VB 是一款適用于高耐壓和低功率應用的高性能功率 MOSFET，廣泛應用于逆變器、LED照明、太陽能逆變器、電動車充電器和工業控制等領域。