### 產品簡介
**型號：2SK3766-VB**
2SK3766-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET，采用 TO220F 封裝。具有 650V 的漏源極電壓（VDS），適用于中高壓電源應用。采用 Plannar 結構技術，適用于要求較高的功率處理和穩定性的場合。
### 產品參數說明
- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源極電壓（VDS）**：650V
- **柵源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：2560mΩ@VGS=10V
- **連續漏極電流（ID）**：4A
- **技術**：Plannar
### 應用領域和模塊舉例
**1. 電源逆變器**
2SK3766-VB 可用于中高壓電源逆變器中的功率開關，用于將直流電轉換為交流電。其高漏源極電壓和穩定性使其在這種應用中非常適用。
**2. 高壓直流電源**
在需要較高電壓的直流電源中，例如高壓電源模塊、X 射線發生器等，2SK3766-VB 可以作為穩定的功率開關器件使用。
**3. 工業電氣設備**
在工業電氣設備中，該 MOSFET 可以用于控制電機、變壓器等設備。其高壓能力和穩定性使其在工業應用中具有重要作用。
**4. 電動汽車充電樁**
在電動汽車充電樁中，2SK3766-VB 可以用作充電樁的功率開關器件，用于控制電動汽車的充電過程。其高壓能力和穩定性使其成為這種應用的理想選擇。
