### 一、2SK375-S-VB 產品簡介

2SK375-S-VB 是一款單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用TO252封裝。具有650V的漏源極電壓和3440mΩ @ VGS=4.5V、4300mΩ @ VGS=10V 的較高導通電阻，適用于低功率高壓應用。該器件采用平面技術（Plannar），具有良好的高壓絕緣性能和穩定的性能。

### 二、2SK375-S-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：3440mΩ @ VGS=4.5V；4300mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：2A
- **技術**：平面技術（Plannar）

### 三、應用領域和模塊說明

#### 應用領域
1. **低功率高壓應用**
  - 2SK375-S-VB 可以用于低功率高壓電路中的開關控制，例如小型逆變器和電源管理。

2. **照明應用**
  - 在LED照明系統中，該MOSFET可以用于控制和調節電流，實現高效節能的照明效果。

3. **電源管理**
  - 適用于需要高效能量轉換和電路保護的電源管理系統。

#### 應用模塊
1. **LED驅動模塊**
  - 在LED照明系統中，2SK375-S-VB 可以用于LED驅動模塊中的電流控制和調節。

2. **電源管理模塊**
  - 該器件適用于小型電源管理模塊中的開關控制，提供穩定的電源輸出。

3. **逆變器控制模塊**
  - 可以用于低功率逆變器控制模塊中，實現高效的能量轉換和電路保護。

通過以上的產品簡介、詳細參數說明以及應用領域和模塊的舉例，展示了2SK375-S-VB 在低功率高壓應用中的廣泛應用及其穩定性能。