### 一、產品簡介

VBsemi 2SK3699-01MR-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET，具有高電壓承受能力和低導通電阻。采用 TO220F 封裝，適合用于需要高電壓和中等電流的應用場合。該器件采用平面技術（Plannar Technology），具有良好的熱特性和穩定性，適用于要求高效能和高可靠性的電路設計。

### 二、詳細參數說明

| 參數名稱         | 參數值                               |
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| 封裝類型          | TO220F                              |
| 配置             | 單 N 溝道                            |
| 最大漏源電壓 (VDS) | 950V                                |
| 最大柵源電壓 (VGS) | ±30V                                |
| 閾值電壓 (Vth)    | 3.5V                                |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2400mΩ @ VGS=10V                   |
| 最大漏極電流 (ID)  | 6A                                  |
| 技術             | 平面（Plannar）                      |

### 三、應用領域和模塊

VBsemi 2SK3699-01MR-VB MOSFET 適用于以下領域和模塊：

1. **電源逆變器：**
  2SK3699-01MR-VB 可以用于高壓直流到交流的逆變器電路中，如太陽能逆變器和風力發電逆變器，提供高效的電力轉換和控制。

2. **電動車充電樁：**
  在電動車充電樁中，該器件可以用作電源開關和控制單元，提供高效的能量轉換和充電管理功能。

3. **工業電源系統：**
  2SK3699-01MR-VB 適用于工業電源系統中的開關電源和穩壓器，可提供穩定可靠的電力輸出。

4. **醫療設備：**
  該器件適用于醫療設備中的電源管理和開關控制，如X射線機、超聲波設備和醫用激光器等。

5. **通信設備：**
  在通信設備中，2SK3699-01MR-VB 可以用于功率放大器和開關電源，提供高效的能量傳輸和信號處理能力。

通過以上應用場景的介紹，可以看出VBsemi 2SK3699-01MR-VB 是一款適用于高壓和中等電流應用的高性能功率 MOSFET，廣泛應用于電源逆變器、電動車充電樁、工業電源系統、醫療設備和通信設備等領域。