### 產品簡介
**型號：2SK3698-01-VB**
2SK3698-01-VB 是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220封裝。具有900V的漏源極電壓（VDS），適用于高壓應用。采用了SJ_Multi-EPI技術，具有良好的高壓性能和穩定性。
### 產品參數說明
- **封裝類型**：TO220
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓（VDS）**：900V
- **柵源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：1500mΩ@VGS=10V
- **連續漏極電流（ID）**：5A
- **技術**：SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊舉例
**1. 電源管理**
2SK3698-01-VB 可以用于開關電源和穩壓器等電源管理模塊中。其高壓特性和穩定性使其在這些模塊中具有良好的性能和可靠性。
**2. 電動車充電樁**
在電動車充電樁中，該MOSFET可用于控制充電樁的功率轉換和開關。其高壓特性和穩定性使其成為電動車充電樁的理想選擇。
**3. 工業高壓應用**
在工業高壓應用中，2SK3698-01-VB 可以用于控制高壓設備和電路，如高壓電源和高壓驅動器。其高壓特性和穩定性確保了在這些應用中的可靠性和性能。
**4. 醫療設備**
在醫療設備中，該MOSFET可用于控制醫療設備的電路，如X射線發生器和醫療成像設備。其中高壓特性和穩定性使其在醫療設備領域得到廣泛應用。
