### 一、2SK3687-01MR-VB 產品簡介

2SK3687-01MR-VB 是一款單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用TO220F封裝。具有650V的漏源極電壓和320mΩ的低導通電阻，適用于中高壓電源管理和開關電路應用。該器件采用平面結構（Plannar），具有高效的功率處理能力和穩定的性能。

### 二、2SK3687-01MR-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：320mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：20A
- **技術**：平面結構（Plannar）

### 三、應用領域和模塊說明

#### 應用領域
1. **工業電源**
  - 2SK3687-01MR-VB 適用于工業電源中的中高壓開關電路，提供穩定和高效的電能轉換。

2. **電動汽車充電樁**
  - 在電動汽車充電樁中，該MOSFET可以用于高壓快速充電模塊，提升充電效率。

3. **UPS電源**
  - 適用于UPS電源系統中的開關電路，提供可靠的電能備份和切換功能。

#### 應用模塊
1. **高壓開關電源模塊**
  - 在高壓開關電源模塊中，2SK3687-01MR-VB 可以用于控制高壓輸入電源的開關，實現高效的電能轉換。

2. **電源因數校正（PFC）模塊**
  - 在PFC模塊中，該器件可以用于高壓電源的功率因數校正，提升電源利用效率。

3. **逆變器模塊**
  - 該器件適用于逆變器模塊中，用于控制直流電向交流電的轉換過程，提升逆變效率。

通過以上的產品簡介、詳細參數說明以及應用領域和模塊的舉例，展示了2SK3687-01MR-VB 在中高壓電源管理和開關電路中的廣泛應用及其優越性能。