### 產品簡介

**型號**: 2SK3646-01SJ-VB  
**封裝**: TO262  
**配置**: 單N溝道MOSFET  
**技術**: 溝道型

2SK3646-01SJ-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET，具有低漏-源電壓和低導通電阻，適用于中電壓高電流應用。該MOSFET采用TO262封裝，具有良好的散熱性能和機械穩定性。

### 產品參數

- **漏-源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵-源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 20mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術**: 溝道型

### 應用領域和模塊示例

**1. 電源模塊**

2SK3646-01SJ-VB適用于各種中電壓高電流的電源模塊，如電源開關和電源管理模塊。其低漏-源電壓和低導通電阻使其能夠高效地處理中電壓高電流的電源應用，提供穩定的電源輸出。

**2. 電機驅動**

在電機驅動領域，2SK3646-01SJ-VB可用于電機控制和電源管理模塊。其高性能和可靠性有助于提高電機驅動系統的效率和穩定性。

**3. 電池管理**

在電池管理中，2SK3646-01SJ-VB可用于充放電控制和電源開關。其低漏-源電壓和低導通電阻使其能夠在電池管理系統中表現出色，確保電池的穩定充放電。

**4. 汽車電子**

在汽車電子中，2SK3646-01SJ-VB可用于車載電子和電源管理模塊。其高性能和可靠性使其能夠在汽車電子系統中提供高效能和穩定性。

2SK3646-01SJ-VB MOSFET適用于許多不同的中電壓高電流應用領域，包括電源模塊、電機驅動、電池管理和汽車電子等，為這些領域提供高效能和可靠性的解決方案。