### 產品簡介

2SK3639-ZK-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO252封裝。具有20V的漏源電壓和100A的漏極電流，適用于需要低壓和高功率處理能力的電子設備中。

### 詳細參數說明

- **型號：** 2SK3639-ZK-VB
- **封裝：** TO252
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)：** 20V
- **柵源電壓 (VGS)：** ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)：** 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))：** 6mΩ @ VGS=2.5V, 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)：** 100A
- **技術：** 溝槽技術

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理：**
  - 2SK3639-ZK-VB適用于低壓高功率電源管理模塊，如手機充電器和筆記本電腦電源模塊，提供高效的電源轉換和穩定的電源供應。

2. **電池保護：**
  - 在電池保護電路中，該MOSFET可用于電池管理系統（BMS）中的過放和過充保護模塊，確保電池安全可靠。

3. **汽車電子：**
  - 在汽車電子領域，2SK3639-ZK-VB可用于汽車電池管理和動力控制系統，提供高功率的驅動和控制。

4. **電機驅動：**
  - 該器件適用于高功率電機驅動器和控制模塊，如工業電機和無人機電機，提供穩定的電源輸出和高效的能源管理。

5. **充電器：**
  - 2SK3639-ZK-VB可用于高功率充電器模塊，如快充充電器和電動車充電器，實現快速而安全的充電。

2SK3639-ZK-VB以其低壓和高功率處理能力，在多個領域的高功率應用中得到廣泛應用，為現代電子設備的高性能和高可靠性提供了重要支持。