--- 產品參數 ---
- 封裝 TO3P封裝
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SK3633-VB MOSFET 產品簡介
2SK3633-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),封裝形式為 TO3P。該型號 MOSFET 具有高漏源電壓和適中導通電阻,適用于需要高性能和中等功率處理能力的電源管理和開關應用。它采用 SJ_Multi-EPI 技術,具有優異的導通特性和可靠性。
### 2SK3633-VB 詳細參數說明
| 參數名稱 | 參數值 |
|------------------|------------------------|
| **封裝形式** | TO3P |
| **配置** | 單 N 溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 900V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 750mΩ @ VGS=10V |
| **漏極電流 (ID)** | 9A |
| **技術** | SJ_Multi-EPI |

### 2SK3633-VB 的應用領域和模塊
1. **電源管理系統**:由于 2SK3633-VB 具有高漏源電壓和適中導通電阻,適用于需要高性能和中等功率處理能力的電源管理系統。例如,開關電源(SMPS)和 DC-DC 轉換器等應用中,該器件可以提供高效率和可靠性。
2. **電力逆變器**:在電力逆變器中,需要能夠承受高電壓和大電流的器件來實現直流到交流的轉換。2SK3633-VB 的高耐壓能力和適中導通電阻使其適用于這些逆變器模塊,有助于提高電力系統的轉換效率。
3. **電動汽車充電樁**:在電動汽車充電樁中,需要能夠承受高電壓和大電流的器件來實現快速充電。2SK3633-VB 的高漏源電流和適中導通電阻使其成為這些充電樁中的理想選擇,有助于提高充電效率和穩定性。
4. **工業控制系統**:在工業控制系統中,需要能夠控制高功率設備的器件來實現精確控制。2SK3633-VB 的高性能和可靠性使其成為這些控制系統中的理想選擇,有助于提高系統的響應速度和穩定性。
綜上所述,2SK3633-VB 適用于需要高性能和中等功率處理能力的電子設備和系統中,特別是在需要高漏源電壓和適中導通電阻的應用中表現優越。
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