--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
2SK3608-01S-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。這款MOSFET具有200V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),適用于中壓功率開關和控制應用。其采用Trench技術,具有較低的導通電阻和適中的漏極電流(ID)能力,適用于中壓和中功率要求的場合。
### 詳細參數說明
- **型號**: 2SK3608-01S-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 200V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 40A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊舉例
1. **電源模塊**:由于2SK3608-01S-VB 具有中壓漏源電壓和較低的導通電阻,適用于中壓功率電源模塊,如電動工具電源、中小型UPS電源等。其能夠提供穩定的電源轉換效率,滿足設備的供電需求。
2. **工業控制**:這款MOSFET 可以應用于工業控制系統中的功率開關和控制,如工業自動化設備、機器人控制系統等。其穩定性和適中的功率特性有助于提高工業設備的控制效率和精度。
3. **電動汽車**:2SK3608-01S-VB適用于電動汽車中的功率開關和控制模塊,如電動汽車驅動控制器。其中壓特性和穩定性有助于提高電動汽車的性能和行駛里程。
4. **太陽能逆變器**:這款MOSFET 還可用于太陽能逆變器中的功率開關和控制,其中壓漏源電壓和適中的功率特性有助于提高逆變器的轉換效率和穩定性。
綜上所述,2SK3608-01S-VB 是一款適用于中壓功率開關和控制的MOSFET,具有中壓漏源電壓和良好的性能穩定性,適用于電源模塊、工業控制、電動汽車和太陽能逆變器等領域和模塊。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:56
產品型號:BUK654R8-40C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:51
產品型號:BUK654R6-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:50
產品型號:BUK654R0-75C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:47
產品型號:BUK653R7-30C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:35
產品型號:BUK653R5-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N