### 產品簡介
**型號：2SK3564-VB**
2SK3564-VB 是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220F封裝。它具有950V的漏源極電壓（VDS），適用于高壓應用。采用了Plannar技術，具有良好的性能和可靠性。
### 產品參數說明
- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓（VDS）**：950V
- **柵源極電壓（VGS）**：±30V
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 10V柵源極電壓下為2400mΩ
- **連續漏極電流（ID）**：6A
- **技術**：Plannar
### 應用領域和模塊舉例
**1. 工業電力控制**
由于2SK3564-VB 具有高漏源極電壓和適中導通電阻特性，因此適用于工業電力控制領域。它可以用于控制工業電機、電源開關等設備，具有良好的可靠性和性能。
**2. 高壓電源**
在高壓電源中，該MOSFET可用于開關電源和逆變器等模塊中。其高漏源極電壓和適中導通電阻使其成為這些模塊中的理想元件。
**3. 醫療成像**
在醫療成像設備中，2SK3564-VB 可以用于控制X射線管等設備的功率開關和控制。其高漏源極電壓和低導通電阻特性使其在醫療成像領域得到廣泛應用。
**4. 電動汽車充電樁**
在電動汽車充電樁中，該MOSFET可用于控制充電樁的功率轉換和輸出。其高漏源極電壓和低導通電阻特性使其成為充電樁中的理想元件。
**總結**
2SK3564-VB 是一款高壓、中功率的N溝道MOSFET，適用于需要高壓和適中功率的應用場景。其高漏源極電壓、適中導通電阻和良好的性能使其成為工業電力控制、高壓電源、醫療成像和電動汽車充電樁等領域的理想選擇。
