### 產(chǎn)品簡介
2SK3564_06-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。這款MOSFET具有950V的漏源電壓（VDS）和±30V的柵源電壓（VGS），適用于超高壓功率開關(guān)和控制應(yīng)用。其采用Plannar技術(shù)，具有較高的阻斷電壓和適中的漏極電流（ID）能力，適用于超高壓和低功率要求的場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: 2SK3564_06-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 950V
- **柵源電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**:
- 2400mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**: 6A
- **技術(shù)**: Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源模塊**：由于2SK3564_06-VB 具有超高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻，適用于超高壓功率電源模塊，如醫(yī)療設(shè)備和工業(yè)高壓電源。其能夠提供穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換效率，滿足設(shè)備的供電需求。
2. **太陽能逆變器**：這款MOSFET 可以應(yīng)用于太陽能逆變器中的功率開關(guān)和控制，其超高的漏源電壓和適中的功率特性有助于提高逆變器的效率和穩(wěn)定性。
3. **電力輸配**：2SK3564_06-VB適用于電力輸配系統(tǒng)中的高壓開關(guān)和控制模塊，如變電站設(shè)備和輸電線路開關(guān)。其高壓特性和穩(wěn)定性有助于提高電力系統(tǒng)的可靠性和安全性。
4. **工業(yè)高壓設(shè)備**：這款MOSFET 還可用于工業(yè)高壓設(shè)備中的功率開關(guān)和控制，如高壓測試儀器和高壓電源模塊，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。
綜上所述，2SK3564_06-VB 是一款適用于超高壓功率開關(guān)和控制的MOSFET，具有超高的漏源電壓和良好的穩(wěn)定性，適用于高壓電源模塊、太陽能逆變器、電力輸配和工業(yè)高壓設(shè)備等領(lǐng)域和模塊。
