### 一、產品簡介
VBsemi 2SK3546J-VB是一款高性能單N溝道功率MOSFET，采用SC75-3封裝，適用于各種低電壓和低功率應用。該器件采用了溝槽技術（Trench Technology），具有較低的導通電阻和高的開關速度，適用于要求高效率和高可靠性的電源管理和電路控制應用。

### 二、詳細參數說明

| 參數名稱         | 參數值                      |
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| 封裝類型          | SC75-3                     |
| 配置             | 單N溝道                   |
| 最大漏源電壓 (VDS) | 60V                        |
| 最大柵源電壓 (VGS) | ±20V                      |
| 閾值電壓 (Vth)    | 1.7V                       |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2000mΩ @ VGS=4.5V；1200mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏極電流 (ID)  | 0.33A                      |
| 技術             | 溝槽（Trench）             |

### 三、應用領域和模塊

VBsemi 2SK3546J-VB MOSFET 在多種領域和模塊中具有廣泛的應用，以下是幾個主要的應用場景：

1. **移動設備：**
  由于其低功率特性，2SK3546J-VB 可以用于各種移動設備中，如智能手機、平板電腦和便攜式電子設備的電源管理和控制電路。

2. **消費類電子產品：**
  在一些消費類電子產品中，如電視、音響系統和游戲機，該器件可以用于控制和管理電路，提高設備的效率和可靠性。

3. **醫療設備：**
  在一些低功率醫療設備中，2SK3546J-VB 可以用于各種控制和管理電路，確保設備的穩定運行和高效能。

4. **工業控制：**
  在一些低功率工業控制系統中，該器件也可以發揮作用，如傳感器接口、馬達控制和電源管理等方面。

通過以上應用場景的介紹，可以看出VBsemi 2SK3546J-VB是一款低功率、高性能的功率MOSFET，適用于多種低電壓和低功率要求的電子設備和系統中使用。