### 產品簡介

**型號**: 2SK3530-01MR-VB  
**封裝**: TO220F  
**配置**: 單N溝道MOSFET  
**技術**: SJ_Multi-EPI

2SK3530-01MR-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET，具有高漏-源電壓承受能力和低導通電阻，適用于要求高電壓和中低功率的應用。該MOSFET采用TO220F封裝，具有良好的散熱性能和機械穩定性。

### 產品參數

- **漏-源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵-源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

**1. 電源供應模塊**

2SK3530-01MR-VB適用于各種電源供應模塊，如開關電源和逆變器。其高漏-源電壓承受能力和低導通電阻使其能夠高效地處理高電壓中低功率的電源應用，提供穩定的電源輸出。

**2. 電源管理模塊**

在電源管理模塊中，2SK3530-01MR-VB可用于功率開關和電源控制。其高性能和可靠性有助于提高電源管理模塊的效率和穩定性。

**3. 照明應用**

在LED照明和其他照明應用中，2SK3530-01MR-VB可用于驅動和控制模塊。其高電壓承受能力和低導通電阻有助于提高照明系統的效率和穩定性。

**4. 工業控制系統**

在工業控制系統中，2SK3530-01MR-VB可用于各種驅動器和控制器模塊。其高電壓承受能力和低導通電阻使其能夠在工業控制系統中表現出色，確保設備的穩定運行。

2SK3530-01MR-VB MOSFET適用于許多不同的應用領域，包括電源供應模塊、電源管理模塊、照明應用和工業控制系統等，為這些領域提供高效能和可靠性的解決方案。