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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK3492-TL-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 2SK3492-TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N溝道

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:2SK3492-TL-VB MOSFET

2SK3492-TL-VB 是一款由VBsemi生產(chǎn)的高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。該器件設(shè)計(jì)用于提供高效率和可靠性,適用于各種電力和開關(guān)應(yīng)用。2SK3492-TL-VB 的主要特點(diǎn)包括60V的漏極-源極電壓(VDS)、±20V的柵極-源極電壓(VGS),以及18A的漏極電流(ID)。器件采用Trench技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和快速的開關(guān)特性,使其在中功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: 2SK3492-TL-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 85mΩ @ VGS = 4.5V, 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: 由于2SK3492-TL-VB 具有較低的導(dǎo)通電阻和中等的漏極電流能力,適用于中功率開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
 
2. **電池管理**: 在需要對(duì)電池進(jìn)行充放電管理的應(yīng)用中,可以使用2SK3492-TL-VB 控制電流。
 
3. **照明控制**: 在需要對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行精確控制的應(yīng)用中,2SK3492-TL-VB 可以用作開關(guān)器件。
 
4. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,需要高性能的MOSFET來控制電機(jī)和其他電力設(shè)備。2SK3492-TL-VB 可以勝任這些任務(wù)。

綜上所述,2SK3492-TL-VB MOSFET 適用于電源管理、電池管理、照明控制和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域,為這些應(yīng)用提供高性能和可靠性。

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