### 產品簡介

**型號**: 2SK3473-VB  
**封裝**: TO3P  
**配置**: 單N溝道MOSFET  
**技術**: SJ_Multi-EPI

2SK3473-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET，具有極高的漏-源電壓承受能力和低導通電阻，適用于要求高電壓和高功率的應用。該MOSFET采用TO3P封裝，具有良好的散熱性能和機械穩定性。

### 產品參數

- **漏-源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵-源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

**1. 電力系統**

2SK3473-VB適用于各種電力系統模塊，如高壓直流輸電系統和電力變壓器。其高漏-源電壓承受能力和低導通電阻使其能夠高效地處理高電壓高功率的電力應用，確保電力系統的穩定運行。

**2. 高壓電源模塊**

在高壓電源模塊中，2SK3473-VB可用于X射線發生器和粒子加速器等高壓設備。其高性能和可靠性有助于提高高壓電源模塊的效率和穩定性。

**3. 工業高壓設備**

在工業高壓設備中，2SK3473-VB可用于高壓電機驅動和高壓設備控制模塊。其高漏-源電壓承受能力和低導通電阻使其能夠在高壓工業應用中表現出色，確保設備的穩定運行。

**4. 太陽能逆變器**

在太陽能逆變器中，2SK3473-VB可用于電能轉換和控制模塊。其高漏-源電壓承受能力和低導通電阻有助于提高太陽能逆變器的效率和穩定性，滿足太陽能行業對高性能元件的需求。

2SK3473-VB MOSFET適用于許多不同的應用領域，包括電力系統、高壓電源模塊、工業高壓設備和太陽能逆變器等，為這些領域提供高效能和可靠性的解決方案。