--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 Single-N溝道
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
2SK319-VB 是一款采用 TO220 封裝的單 N 溝道 MOSFET。該器件具有 600V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),適用于中功率開關和控制應用。其采用了 Plannar 技術,具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻。
### 詳細參數說明
- **型號**:2SK319-VB
- **封裝**:TO220
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:600V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:1070mΩ @ VGS = 4.5V, 780mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:8A
- **技術**:Plannar

### 應用領域和模塊示例
2SK319-VB MOSFET 可以應用于多個領域和模塊,以下是一些具體的示例:
1. **電源開關模塊**:在中功率電源開關模塊中,該器件可以用作主要開關器件。其較高的漏源電壓和適中的導通電阻使其適用于中功率轉換和電源管理。
2. **照明控制**:在需要控制高壓照明系統的應用中,2SK319-VB 可以用作照明控制器的開關元件。其高漏源電壓和適中的導通電阻可以提供穩定的照明控制和可靠的性能。
3. **工業控制**:在需要中功率開關器件的工業控制系統中,該器件可以用于各種控制和驅動應用。其高漏源電壓和適中的導通電阻可以提供穩定的性能和可靠的操作。
4. **電動工具**:在中功率電動工具中,2SK319-VB 可以用作開關器件,用于控制電機和功率轉換。其高可靠性和穩定性使其適用于各種電動工具應用。
2SK319-VB 具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻,適用于中功率應用,是電子系統中的一種可靠解決方案。
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