### 一、2SK3199-VB產品簡介

2SK3199-VB是一款單N溝道MOSFET，封裝為TO220F。它采用了平面結構技術，適用于高壓和中等電流應用，具有穩定的開關特性和較高的漏極-源極電壓承受能力。該器件適用于需要高電壓和中等電流的電源管理和驅動控制等應用場合。

### 二、2SK3199-VB詳細參數說明

- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：7A
- **技術**：平面結構技術

### 三、應用領域和模塊實例

2SK3199-VB MOSFET適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**：
  - **開關電源**：在高壓開關電源中，2SK3199-VB能夠提供穩定的開關控制和較高的電壓承受能力，適用于高效的能量轉換和電源管理。
  - **LED驅動器**：在LED驅動器中，該MOSFET能夠提供穩定的電流控制和較高的電壓承受能力，適用于LED照明系統的穩定驅動。

2. **工業控制**：
  - **馬達控制**：在工業電機控制系統中，2SK3199-VB能夠提供高效的電流控制和穩定的驅動特性，適用于高壓馬達的控制。

3. **電動汽車充電器**：
  - **電動汽車充電器**：在電動汽車充電器中，該MOSFET能夠處理高壓和中等電流的轉換，提供穩定的電源管理和電流控制，適用于電動汽車充電系統。

綜上所述，2SK3199-VB由于其高電壓承受能力、穩定性能和廣泛的應用領域，適用于多種高壓中等電流應用的理想選擇，廣泛應用于電源管理、工業控制和電動汽車充電器等領域。### 一、2SK3199-VB產品簡介

2SK3199-VB是一款單N溝道MOSFET，封裝為TO220F。它采用了平面結構技術，適用于高壓和中等電流應用，具有穩定的開關特性和較高的漏極-源極電壓承受能力。該器件適用于需要高電壓和中等電流的電源管理和驅動控制等應用場合。