### 2SK3176-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

2SK3176-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），封裝形式為 TO3P。該型號 MOSFET 具有高漏源電壓、低導通電阻和高漏極電流的特性，適用于高功率電源管理和開關(guān)應用。

### 2SK3176-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**：TO3P
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：200V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：4V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：13.8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：96A
- **技術(shù)類型**：Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊的應用舉例

2SK3176-VB MOSFET 具有高漏源電壓、低導通電阻和高漏極電流的特性，適用于高功率應用。以下是一些具體應用領(lǐng)域和模塊示例：

1. **電源管理系統(tǒng)**：在高功率電源管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可用于開關(guān)模式電源（SMPS）和逆變器，提供高效、穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和管理。
2. **工業(yè)電機驅(qū)動**：在工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)中，用于控制高功率電動機，提供穩(wěn)定、高效的驅(qū)動和控制。
3. **電動車充電器**：在電動車充電器中，該 MOSFET 可用于高功率充電器的開關(guān)控制，提供高效、穩(wěn)定的充電能力。
4. **電源逆變器**：在電源逆變器中，該 MOSFET 可用于高功率逆變器的開關(guān)控制，提供穩(wěn)定、高效的電源逆變。