### 產品簡介

**型號：2SK3147L-VB**  
**封裝：TO251**  
**配置：單N溝道**  
**技術：溝槽技術（Trench）**

2SK3147L-VB 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO251封裝，適用于中壓中電流應用。其100V的漏源電壓（VDS）和12A的漏極電流（ID）使其在需要中等電壓和電流輸出的電路中表現出色。200mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@ VGS=10V確保了低功耗和高效率。

### 詳細參數說明

- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 200mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術類型**: 溝槽技術（Trench）
- **封裝類型**: TO251
- **配置**: 單N溝道

### 應用領域和模塊示例

2SK3147L-VB 的高性能特性使其適用于多種應用領域：

1. **電源管理**: 由于其中等電壓和電流特性，該MOSFET可用于開關電源（SMPS）和線性電源中，提供穩定的電流輸出。

2. **馬達驅動**: 在需要中等電壓和電流輸出的馬達控制系統中，2SK3147L-VB 可用于驅動電路，確保電機的高效運行。

3. **照明控制**: 在LED照明系統中，該MOSFET可用于驅動電路，提供穩定的電流輸出和高效的能源轉換。

4. **工業控制**: 在工業自動化設備中，該MOSFET用于控制和驅動各種執行器和傳感器，確保系統的高效運行。

5. **電動汽車充電器**: 由于其中等電壓和電流特性，該MOSFET可用于電動汽車充電器中，提供高效的電能轉換和電流輸出。

2SK3147L-VB 的優異電氣特性和可靠性設計使其成為中壓中電流應用中的理想選擇，能夠滿足各種領域對高性能MOSFET的要求。