--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251封裝
- 溝道 Single-N溝道
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SK3135L-VB MOSFET 產品簡介
2SK3135L-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),封裝形式為 TO251。該型號 MOSFET 具有低漏源電壓、低導通電阻和高漏極電流的特性,適用于高功率電源管理和開關應用。
### 2SK3135L-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO251
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:6mΩ @ VGS = 4.5V, 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:97A
- **技術類型**:Trench

### 適用領域和模塊的應用舉例
2SK3135L-VB MOSFET 具有低漏源電壓、低導通電阻和高漏極電流的特性,適用于高功率應用。以下是一些具體應用領域和模塊示例:
1. **電動車和混合動力車**:在電動車和混合動力車的電力驅動系統中,該 MOSFET 可用于控制電機和電池管理系統,確保高效的能量利用和轉換。
2. **工業自動化**:在工業自動化設備中,用于驅動高功率電動機和控制其他高壓設備,提供穩定的電源和控制信號。
3. **電源管理系統**:在高功率電源管理系統中,該 MOSFET 可用于開關模式電源(SMPS)和逆變器,提供高效、穩定的電能轉換和管理。
4. **LED 照明系統**:在高功率 LED 照明驅動器中,該 MOSFET 作為功率開關器件,能夠提供高效、穩定的電能轉換和長壽命的工作特性。
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