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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK3132-VB一款Single-N溝道TO3P的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SK3132-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO3P封裝
  • 溝道 Single-N溝道

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK3132-VB 產(chǎn)品簡介

2SK3132-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO3P封裝。該MOSFET具有600V的漏源電壓(VDS)和30V的柵源電壓(VGS),適用于中高壓應(yīng)用環(huán)境。其閾值電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為60mΩ @ VGS=10V,漏極電流(ID)為47A。采用SJ_Multi-EPI技術(shù),2SK3132-VB 在多種應(yīng)用中展現(xiàn)出高可靠性和穩(wěn)定性,特別適用于需要高電流和高壓的場合。

### 二、2SK3132-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝形式**:TO3P
- **極性**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:600V
- **柵源電壓(VGS)**:30V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:60mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:47A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI
- **其他參數(shù)**:
 - 柵極電荷(Qg):待定
 - 反向恢復(fù)時間(trr):待定
 - 電感負載開關(guān)時間(tsw):待定
 - 封裝尺寸:待定
 - 工作溫度范圍:待定

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

2SK3132-VB MOSFET 由于其高電壓和高電流能力,適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **工業(yè)電源**:在需要高電壓和高電流的工業(yè)電源系統(tǒng)中,2SK3132-VB 可以用作電源開關(guān),控制電源的輸出和穩(wěn)定性,確保設(shè)備的正常運行。

2. **電動汽車**:在電動汽車的電動系統(tǒng)中,2SK3132-VB 可以用作驅(qū)動器的開關(guān)元件,控制電動機的啟停和速度,提高汽車的性能和效率。

3. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,2SK3132-VB 可以用作逆變器的開關(guān),控制太陽能板的輸出,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,供電給家庭和工業(yè)設(shè)備使用。

總的來說,2SK3132-VB 是一款適用于高壓和高電流場合的N溝道MOSFET,具有高可靠性和穩(wěn)定性,能夠滿足各種電子設(shè)備對高壓開關(guān)和控制的需求。

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