### 產品簡介

**型號：2SK3131-VB**  
**封裝：TO3P**  
**配置：單N溝道**  
**技術：SJ多晶EPI**

2SK3131-VB 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO3P封裝，適用于高壓高電流應用。其600V的漏源電壓（VDS）和47A的漏極電流（ID）使其在需要高電壓和高電流輸出的電路中表現出色。60mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@ VGS=10V確保了低功耗和高效率。

### 詳細參數說明

- **漏源電壓 (VDS)**: 600V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 60mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術類型**: SJ多晶EPI
- **封裝類型**: TO3P
- **配置**: 單N溝道

### 應用領域和模塊示例

2SK3131-VB 的高性能特性使其適用于多種應用領域：

1. **高壓電源**: 該MOSFET可用于高壓電源的開關和控制，如高壓開關電源（HVPS）和高壓穩壓器。

2. **電動汽車充電樁**: 由于其高壓高電流的特性，該MOSFET可用于電動汽車充電樁中，提供高效的電能轉換和電流輸出。

3. **工業控制**: 在需要高電壓和高電流輸出的工業控制系統中，該MOSFET可以用于電源管理和驅動電路。

4. **醫療設備**: 在醫療設備中，2SK3131-VB 可以用于高壓電源和驅動電路，確保設備的高效運行。

5. **激光器驅動**: 由于其高電壓高電流的特性，該MOSFET可用于激光器驅動電路，提供穩定的電流輸出和高效的能源管理。

2SK3131-VB 的優異電氣特性和可靠性設計使其成為高壓高電流應用中的理想選擇，能夠滿足各種領域對高性能MOSFET的要求。