### 一、2SK3120-VB 產品簡介

2SK3120-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 SOT89 封裝，適用于低壓、高電流應用。該器件具有 30V 的漏源電壓 (VDS) 和 6.8A 的連續漏極電流 (ID)，導通電阻在不同的柵源電壓下表現出優異的特性。其使用了 Trench 技術，具有低導通電阻和高開關速度，適合用于要求高效率和低損耗的電源和開關應用。

### 二、2SK3120-VB 詳細參數說明

| 參數                  | 數值         | 單位    | 備注                       |
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| **封裝類型**           | SOT89      |       |                           |
| **配置**              | 單 N 溝道     |       |                           |
| **漏源電壓 (VDS)**    | 30         | V     | 最大額定值                   |
| **柵源電壓 (VGS)**    | 20（±）    | V     | 最大額定值                   |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 1.7        | V     | 典型值                     |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 30         | mΩ    | VGS=2.5V 時               |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 22         | mΩ    | VGS=4.5V 時               |
| **連續漏極電流 (ID)**   | 6.8        | A     | 最大額定值                   |
| **技術**              | Trench     |       | 溝槽技術，低導通電阻和高開關速度   |

### 三、應用領域及示例

2SK3120-VB MOSFET 適用于多種低壓、高電流應用，具體應用領域包括但不限于：

1. **便攜式電子設備**：在便攜式設備如智能手機、平板電腦中，2SK3120-VB 可以用于電源管理模塊。其低導通電阻和高開關速度有助于延長電池壽命和提高設備效率。

2. **DC-DC 轉換器**：在 DC-DC 轉換器中，該器件可用于實現高效能量轉換。其高電流承載能力和低損耗特性，使其成為高效電源轉換應用的理想選擇。

3. **電機驅動控制**：在小型電機驅動應用中，2SK3120-VB 可用于控制電機的啟動和速度調節。其高電流能力和快速響應性能，有助于實現精確的電機控制。

4. **開關電源 (SMPS)**：在開關模式電源中，2SK3120-VB 可以用作主開關元件，其低導通電阻和高頻開關能力有助于提高整體電源效率和降低熱量產生。

通過這些應用示例，可以看出 2SK3120-VB MOSFET 由于其低導通電阻、高電流能力和高效開關特性，適用于需要高效能量管理和快速響應的各種低壓電子應用。