### 產品簡介

**型號**: 2SK311-VB  
**封裝**: TO220  
**配置**: 單N溝道  
**技術**: 平面型（Plannar）  

2SK311-VB是一款單N溝道MOSFET，具有650V的高漏-源電壓承受能力，適用于高電壓應用場景。該器件采用平面型技術設計，提供了可靠的性能和穩定性。

### 詳細參數說明

- **VDS**（漏-源電壓）: 650V
- **VGS**（柵-源電壓）: ±30V
- **Vth**（柵極閾值電壓）: 3.5V
- **RDS(ON)**（導通電阻）: 2200mΩ @ VGS=10V
- **ID**（漏極電流）: 4A

### 應用領域和模塊舉例

**高壓電源管理**: 2SK311-VB適用于高壓電源管理系統，如高壓直流電源（HVDC）和高壓逆變器。其高漏-源電壓承受能力使其能夠在高壓環境下穩定工作，確保電路的安全和可靠。

**工業控制**: 在工業控制系統中，2SK311-VB可用于電機驅動器和工業自動化設備。其高耐壓和穩定的性能使其適用于需要高可靠性的工業應用。

**照明設備**: 該器件適用于高壓照明設備，如高壓LED驅動器和熒光燈電子鎮流器。其高電壓承受能力和適中的電流處理能力確保了照明系統的穩定性和長壽命。

**電動汽車充電樁**: 在電動汽車充電樁中，2SK311-VB可用于高壓電池管理系統（BMS）和充電控制電路。其高電壓承受能力確保了充電過程的安全和高效。

2SK311-VB是一款適用于高電壓應用場景的MOSFET器件，能夠在各種高壓環境中提供穩定和可靠的性能。