### 一、2SK2955-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK2955-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET，采用TO3P封裝。該MOSFET具有60V的漏源電壓（VDS）和20V的柵源電壓（VGS），能夠在低壓應(yīng)用中提供高效和可靠的性能。該產(chǎn)品采用了溝道技術(shù)，確保了在不同應(yīng)用中的穩(wěn)定性和耐用性。其最大漏極電流（ID）為210A，在VGS為4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為3.6mΩ，在VGS為10V時(shí)的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為3mΩ。這個(gè)器件適用于對(duì)低壓要求且需要極高電流的場(chǎng)合。

### 二、2SK2955-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝形式**：TO3P
- **極性**：?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓（VDS）**：60V
- **柵源電壓（VGS）**：20V（±）
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：
 - @ VGS=4.5V: 3.6mΩ
 - @ VGS=10V: 3mΩ
- **漏極電流（ID）**：210A
- **技術(shù)**：溝道技術(shù)
- **其他參數(shù)**：
 - 柵極電荷（Qg）：待定
 - 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：待定
 - 電感負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)間（tsw）：待定
 - 封裝尺寸：待定
 - 工作溫度范圍：待定

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

2SK2955-VB MOSFET 由于其低壓和極高電流能力，適用于各種低壓高功率場(chǎng)景。以下是一些具體的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：

1. **電源模塊**：在需要極高電流輸出的低壓電源模塊中，2SK2955-VB 可以提供可靠的功率開(kāi)關(guān)和電流控制，使電源模塊具有更好的效率和可靠性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**：在低壓極高功率電機(jī)控制系統(tǒng)中，2SK2955-VB 可以提供高效的電流控制和電壓調(diào)節(jié)，確保電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能轉(zhuǎn)換。

3. **電動(dòng)汽車控制器**：在低壓極高功率電動(dòng)汽車控制系統(tǒng)中，2SK2955-VB 的高電流處理能力和穩(wěn)定的功率輸出可以提高電動(dòng)汽車的性能和驅(qū)動(dòng)效率。

4. **工業(yè)電氣設(shè)備**：在需要高功率開(kāi)關(guān)和電流控制的工業(yè)電氣設(shè)備中，2SK2955-VB 可以提供可靠的功率輸出和電流調(diào)節(jié)，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能轉(zhuǎn)換。

總的來(lái)說(shuō)，2SK2955-VB 是一款適用于低壓高功率場(chǎng)合的N溝道MOSFET，具有極高的性能和穩(wěn)定性，可以滿足各種高功率電子設(shè)備的需求。