### 產品簡介
**型號**: 2SK2875-01-VB
**封裝**: TO220
**配置**: 單N溝道
**技術**: 平面（Plannar）
2SK2875-01-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，具有600V的漏-源電壓承受能力。采用平面技術設計，適用于各種高壓應用場合。
### 詳細參數說明
- **VDS**（漏-源電壓）: 600V
- **VGS**（柵-源電壓）: ±30V
- **Vth**（柵極閾值電壓）: 3.5V
- **RDS(ON)**（導通電阻）:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **ID**（漏極電流）: 8A
### 應用領域和模塊舉例
**電源逆變器**: 2SK2875-01-VB適用于電源逆變器中的開關模塊，可用于工業電源和UPS系統。其高漏-源電壓承受能力和適中的漏極電流使其成為逆變器設計的理想選擇。
**電動車充電器**: 在電動汽車充電器中，該MOSFET可用于高壓直流-直流變換器。其高漏-源電壓和低導通電阻能夠提高充電器的效率和性能。
**照明應用**: 2SK2875-01-VB可用于LED照明驅動器和高壓開關模塊。其高耐壓特性使其能夠在高壓環境下穩定工作，為照明系統提供可靠性保障。
**電力電子**: 在電力電子領域，該MOSFET可用于高壓開關電源和電力轉換器。其高性能和耐壓能力使其成為電力電子系統設計中的關鍵組件。
2SK2875-01-VB以其高耐壓能力和穩定性，適用于各種高壓應用場合，為電子系統設計提供了可靠的解決方案。
