### 產品簡介

**型號**: 2SK2848_05-VB  
**封裝**: TO220F  
**配置**: 單N溝道  
**技術**: 平面（Plannar）  

2SK2848_05-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，具有650V的漏-源電壓承受能力。采用平面技術設計，適用于各種高壓應用場合。

### 詳細參數說明

- **VDS**（漏-源電壓）: 650V
- **VGS**（柵-源電壓）: ±30V
- **Vth**（柵極閾值電壓）: 3.5V
- **RDS(ON)**（導通電阻）: 1700mΩ @ VGS=10V
- **ID**（漏極電流）: 2A

### 應用領域和模塊舉例

**電源逆變器**: 2SK2848_05-VB適用于電源逆變器中的開關模塊，可用于工業電源和UPS系統。其高漏-源電壓承受能力和適中的漏極電流使其成為逆變器設計的理想選擇。

**電動車充電器**: 在電動汽車充電器中，該MOSFET可用于高壓直流-直流變換器。其高漏-源電壓和低導通電阻能夠提高充電器的效率和性能。

**照明應用**: 2SK2848_05-VB可用于LED照明驅動器和高壓開關模塊。其高耐壓特性使其能夠在高壓環境下穩定工作，為照明系統提供可靠性保障。

**電力電子**: 在電力電子領域，該MOSFET可用于高壓開關電源和電力轉換器。其高性能和耐壓能力使其成為電力電子系統設計中的關鍵組件。

2SK2848_05-VB以其高耐壓能力和穩定性，適用于各種高壓應用場合，為電子系統設計提供了可靠的解決方案。