--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SK2799-VB MOSFET 產品簡介
2SK2799-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),封裝形式為 TO220。該型號 MOSFET 具有較高的漏源電壓和低導通電阻,適用于多種高性能電源管理和開關應用。
### 2SK2799-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:420mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:11A
- **技術類型**:SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊的應用舉例
2SK2799-VB MOSFET 由于其高漏源電壓和低導通電阻的特性,適用于多種高性能應用。以下是一些具體應用領域和模塊示例:
1. **電動汽車充電樁**:在電動汽車充電樁中,2SK2799-VB 可用作功率開關器件,提供高效、可靠的電能轉換和管理。
2. **工業電源**:在工業電源設備中,該 MOSFET 可用于開關模式電源(SMPS)、逆變器等,實現高效、穩定的電能轉換。
3. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,2SK2799-VB 可用于控制和轉換太陽能電池板產生的直流電,供給家庭或工業用電。
4. **醫療設備**:在需要高性能電源管理的醫療設備中,該 MOSFET 可確保設備的安全、穩定運行。
5. **高性能電源模塊**:用于制造高性能電源模塊,如電源適配器、服務器電源等,提供高效、可靠的電源輸出。
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