### 2SK2718-VB MOSFET 產品簡介

2SK2718-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。該器件適用于高壓應用，具有較高的漏源電壓（VDS 950V）和適中的電流承載能力（ID 3A）。采用平面結構（Plannar）技術，適用于要求高壓的電路設計。

### 2SK2718-VB 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2718-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 950V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 5400mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 3A
- **技術**: 平面結構（Plannar）

### 適用領域和模塊舉例

1. **電源開關（Power Switches）**:
  2SK2718-VB 可以用作高壓電源開關，用于控制高壓電路的開關狀態。其高漏源電壓和適中的電流承載能力使其適用于此類應用。

2. **照明控制（Lighting Control）**:
  在需要控制照明系統的高壓部分時，可以使用2SK2718-VB 作為開關元件。其高漏源電壓和平面結構技術使其在照明控制中表現良好。

3. **電源逆變器（Power Inverters）**:
  在電源逆變器中，這款MOSFET 可以用于控制逆變器的開關狀態。其高漏源電壓和平面結構技術使其在電源逆變器中表現出色。

4. **高壓直流-直流變換器（High Voltage DC-DC Converters）**:
  2SK2718-VB 適用于高壓直流-直流變換器中，用于控制變換器的開關狀態。其高壓特性和平面結構技術使其在此類應用中表現優異。

以上是2SK2718-VB 在高壓應用中的典型應用場景。其特性使其成為需要高壓和適中電流承載能力的電路設計中的理想選擇，能夠滿足對高壓要求的應用需求。