### 產品簡介

**2SK2701-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用TO220封裝形式，具有優異的導通性能和高可靠性。其額定漏源電壓（VDS）為500V，柵源電壓（VGS）為±30V，柵極閾值電壓（Vth）為3.1V。在VGS=10V時，RDS(ON)為660mΩ，最大連續漏電流（ID）可達13A。該器件采用Plannar技術制造，適用于需要高電壓和高性能的應用場合。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2701-VB
- **封裝形式**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Plannar

### 應用領域及模塊

**2SK2701-VB** 適用于需要高電壓和高性能的電子設備和系統，特別適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**:
  - **開關電源**: 作為高電壓開關電源中的功率開關器件，提供穩定的電源輸出。

2. **工業電子**:
  - **高壓工業設備**: 在高壓工業設備中的功率開關器件，如高壓電源、高壓變頻器等。

3. **電動車充電樁**:
  - **快速充電樁**: 用于電動車快速充電樁中的功率開關器件。

4. **太陽能逆變器**:
  - **大功率太陽能逆變器**: 在大功率太陽能逆變器中的功率開關器件，提供高效的能源轉換。

5. **醫療設備**:
  - **醫療電子設備**: 在需要高性能、高可靠性的醫療電子設備中的功率開關器件。

2SK2701-VB MOSFET以其高電壓和高性能，適用于各種需要穩定、高效的功率控制和轉換的應用場合。