### 2SK2689-01MR-VB 產品簡介

2SK2689-01MR-VB 是一款單N溝道MOSFET，具有30V的漏源電壓和68A的漏極電流能力。采用TO220F封裝，適用于需要低電壓和高電流的應用場合。其極低的導通電阻和合適的閾值電壓使其在功率開關和電源管理應用中表現出色。

### 2SK2689-01MR-VB 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2689-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2mΩ @ VGS = 4.5V, 1mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 68A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理**：
  2SK2689-01MR-VB 可用于低電壓和高電流的電源管理模塊，如高性能電源適配器和DC-DC轉換器。其低導通電阻和高電流能力使其成為這些應用中的理想選擇。

2. **電池保護**：
  在電池保護電路中，這種MOSFET可用于開關和保護電路。其低電壓和高電流能力確保了電池系統的高效能和穩定性。

3. **汽車電子**：
  2SK2689-01MR-VB 可用于汽車電子系統中的功率開關和電源管理模塊。其高性能和可靠性使其成為汽車應用中的理想選擇。

4. **LED驅動**：
  在LED照明系統中，2SK2689-01MR-VB 可用于驅動和控制電路。其低導通電阻和高電流能力使其適合于高亮度LED的驅動。

這些示例說明了 2SK2689-01MR-VB 在各種領域和模塊中的廣泛應用，其高性能和可靠性使其成為各種低電壓和高電流應用的理想選擇。