### 2SK2689-01MR_05-VB MOSFET 產品簡介

2SK2689-01MR_05-VB 是一款由VBsemi制造的單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。該器件適用于高功率應用，具有較低的漏源電壓（VDS 30V）和高電流承載能力（ID 68A）。采用槽溝道結構（Trench）技術，具有極低的導通電阻，適合要求高功率、低損耗的電路設計。

### 2SK2689-01MR_05-VB 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2689-01MR_05-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2mΩ @ VGS = 4.5V, 1mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 68A
- **技術**: 槽溝道結構（Trench）

### 適用領域和模塊舉例

1. **電源模塊（Power Modules）**:
  2SK2689-01MR_05-VB 可以用于高功率電源模塊中，作為開關元件，幫助控制電源輸出。其高電流承載能力和低導通電阻使其成為高功率電源模塊設計的理想選擇。

2. **電機驅動（Motor Drives）**:
  在電機驅動中，這款MOSFET 可以用于控制電機的啟停和轉速調節。其高電流承載能力和低導通電阻使其在電機驅動應用中表現優異。

3. **汽車電子（Automotive Electronics）**:
  2SK2689-01MR_05-VB 適用于汽車電子中的功率控制和管理電路。其高功率特性和穩定性使其在汽車電子應用中表現優異。

4. **工業自動化（Industrial Automation）**:
  在工業自動化設備中，這款MOSFET 可以用于控制和調節設備中的電源和信號。其高可靠性和穩定性使其在工業自動化應用中表現優異。

以上是2SK2689-01MR_05-VB 在高功率應用中的典型應用場景。其特性使其成為多種高功率電路設計中的理想選擇，能夠滿足對功率、效率和可靠性要求較高的應用需求。