### 產品簡介

2SK2688-01S-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO263封裝。該器件具有優秀的導通特性和開關性能，適用于高電流和低電壓的電子應用。漏極-源極電壓（VDS）為30V，柵極-源極電壓（VGS）為20V（±），門限電壓（Vth）為1.7V。漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）為18mΩ@VGS=4.5V和12mΩ@VGS=10V。最大漏極電流（ID）為50A。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2688-01S-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**: 30V
- **柵極-源極電壓（VGS）**: ±20V
- **門限電壓（Vth）**: 1.7V
- **漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）**: 18mΩ @ VGS=4.5V, 12mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**: 50A
- **技術**: Trench

### 應用領域及模塊

2SK2688-01S-VB MOSFET 適用于高電流和低電壓的電子應用，例如：

1. **電源管理**：用于高電流的開關電源、DC-DC轉換器等電源管理應用中，能夠提供高效的功率轉換和穩定的性能。

2. **電機驅動**：適用于需要高電流控制的直流電機驅動器、步進電機驅動器等應用中，具有較低的導通電阻和良好的導通特性。

3. **照明應用**：可用于需要高功率和穩定性能的LED驅動器等照明應用中，能夠提供可靠的功率開關和調光功能。

4. **汽車電子**：適用于汽車電子系統中的電源管理、馬達驅動等模塊，具有耐壓能力和穩定性。

通過這些應用示例，可以看出2SK2688-01S-VB MOSFET 在高電流和低電壓的電子應用中具有廣泛的應用前景。