### 產品簡介

2SK2663-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO252封裝。該器件采用了SJ_Multi-EPI技術，具有較高的漏極-源極電壓（VDS）和穩定的性能特點。適用于需要較高電壓和低功率的電子應用場景。其漏極-源極電壓為900V，柵極-源極電壓（VGS）為30V（±），門限電壓（Vth）為3.5V。漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）為2700mΩ@VGS=10V，最大漏極電流（ID）為2A。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2663-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**: 900V
- **柵極-源極電壓（VGS）**: ±30V
- **門限電壓（Vth）**: 3.5V
- **漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）**: 2700mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**: 2A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域及模塊

2SK2663-VB MOSFET 適用于需要較高電壓和低功率的電子應用，例如：

1. **電源逆變器**：在需要高壓逆變和穩定性能的應用中，該MOSFET能夠提供可靠的開關特性，適用于太陽能逆變器、電力逆變器等領域。

2. **照明應用**：用于LED照明驅動器等照明應用中，能夠提供可靠的功率開關和穩定性能。

3. **電源管理**：用于開關電源、DC-DC轉換器等電源管理應用中，能夠提供高效的功率轉換和穩定的性能。

4. **工業控制**：適用于需要高壓開關和穩定性能的工業控制系統中，例如高壓電機驅動、傳感器控制等領域。

通過這些應用示例，可以看出2SK2663-VB MOSFET 在需要較高電壓和低功率的電子應用中具有廣泛的應用前景。