### 產品簡介

2SK2556-VB 是一款高性能、單N溝道MOSFET，采用SOP8封裝。其設計采用了Trench技術，具有優(yōu)異的導通特性和低導通電阻，適用于高功率應用場景。該MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS），能夠在較低的柵極電壓下提供可靠的導通性能。其最大漏極電流（ID）為13A，柵源電壓（VGS）為20V（±），門限電壓（Vth）為1.7V。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 2SK2556-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 30V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **門限電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 11mΩ @ VGS=4.5V, 8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**: 13A
- **技術**: Trench

### 應用領域及模塊

2SK2556-VB MOSFET 適用于需要高性能和高功率的應用場景，例如：

1. **電源管理系統(tǒng)**：在需要高功率開關和穩(wěn)定性能的應用中，該MOSFET能夠提供可靠的開關性能，適用于工業(yè)電源、服務器電源和高功率電源供應器。

2. **電機驅動**：在需要處理高功率的電機控制和驅動應用中，該MOSFET能夠提供高效的開關和控制特性，適用于電動工具、電動汽車和其他高功率電機控制模塊。

3. **電池管理**：用于高功率電池管理系統(tǒng)中的開關和保護電路，2SK2556-VB能夠提供可靠的高功率開關性能，適用于電動汽車、儲能系統(tǒng)等領域。

4. **電源逆變器**：在需要高功率逆變和穩(wěn)定性能的應用中，該MOSFET能夠提供可靠的開關性能，適用于太陽能逆變器、風能逆變器等領域。

通過這些應用示例，可以看出2SK2556-VB MOSFET 適用于需要高性能、高功率的多種電子和工業(yè)應用場景。其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為各類高功率應用的理想選擇。