--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
2SK2526-01-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封裝。該器件具有900V漏極-源極電壓(VDS),適用于高壓應用場合。主要特點包括5A的漏極電流(ID)、1500mΩ @ VGS=10V 的導通電阻(RDS(ON))、3.5V的閾值電壓(Vth),以及采用 SJ_Multi-EPI 技術制造,提供優異的開關性能和可靠性。
### 詳細參數說明
- **型號**:2SK2526-01-VB
- **封裝**:TO220
- **配置**:單 N 通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:900V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:1500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:5A
- **技術**:SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊
2SK2526-01-VB 適用于高壓應用場合。
1. **電源轉換器**:由于其高壓能力,該器件可用于各種類型的電源轉換器和開關電源中,提供高效的電能轉換和穩定的輸出。
2. **電動車充電樁**:在需要高壓和適度電流的電動車充電樁中,2SK2526-01-VB 能夠提供穩定的電流控制和高效的能量轉換。
3. **電力傳輸**:在需要高壓開關和穩定性的電力傳輸系統中,該器件可用于開關電路和其他高壓應用,提供可靠的性能。
4. **工業控制**:在各種工業控制系統中,2SK2526-01-VB 能夠提供穩定的開關性能,適用于高壓開關和功率控制。
5. **醫療設備**:在一些需要高壓穩定性的醫療設備中,該器件可用于電源管理和其他高壓應用。
綜上所述,2SK2526-01-VB 是一款適用于高壓應用的 MOSFET,具有優異的開關性能和可靠性,適用于電源轉換器、電動車充電樁、電力傳輸、工業控制和醫療設備等領域。
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