--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SK2519-01-VB 產品簡介
2SK2519-01-VB 是一款單N溝道MOSFET,具有200V的漏源電壓和10A的漏極電流能力。采用TO220封裝,適用于需要中高電壓和中高電流的應用場合。其低導通電阻和合適的閾值電壓使其在功率開關和電源管理應用中表現出色。
### 2SK2519-01-VB 詳細參數說明
- **型號**: 2SK2519-01-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 310mΩ @ VGS = 4.5V
- 270mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理**:
2SK2519-01-VB 可用于電源管理模塊中的功率開關,如開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器。其高電壓和中高電流能力使其成為這些應用中的理想選擇。
2. **電機驅動**:
在工業和家用電機驅動中,這種MOSFET可用于控制電機的啟停和速度調節。其中高電流能力和低導通電阻確保了高效能和穩定性。
3. **照明系統**:
在LED和HID照明系統中,2SK2519-01-VB 可用于驅動和調節電路。其高電壓和可靠性使其適合長時間工作的照明應用。
4. **逆變器和轉換器**:
這種MOSFET可用于中高壓逆變器和轉換器的功率開關模塊。其高電壓和中高電流能力使其成為這些系統中的關鍵元件。
這些示例說明了 2SK2519-01-VB 在各種領域和模塊中的廣泛應用,其高性能和可靠性使其成為各種中高電壓和中高電流應用的理想選擇。
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