### 產品簡介
**2SK2158-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用SOT23-3封裝，適用于低功率應用。具有適中的漏極-源極電壓、低導通電阻和較低的漏極電流能力，適合要求低功率和小尺寸的電路設計。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：SOT23-3
- **配置**：單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**：60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**：20（±V）
- **閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：0.3A
- **技術**：溝槽型
### 應用領域和模塊
**2SK2158-VB** 在以下領域和模塊中具有廣泛應用：
1. **便攜式電子產品**：
- 適用于智能手機、平板電腦等便攜式電子產品中的功率管理模塊，如充電管理、電池管理等。
2. **消費類電子產品**：
- 在便攜式音頻設備、手持式游戲機等產品中的功率管理和信號開關。
3. **醫療電子**：
- 在醫療設備中的電源管理模塊和信號處理模塊中使用，如醫療圖像設備、心跳監測器等。
4. **工業控制**：
- 適用于傳感器信號處理、工業自動化設備中的控制模塊等。
5. **通信設備**：
- 在通信基站設備中的功率放大器和功率控制模塊中使用，確保設備的高效率和穩定性。
### 小結
**2SK2158-VB** 是一款適用于低功率應用的單N溝道MOSFET，具有適中的漏極-源極電壓、低導通電阻和較低的漏極電流能力。廣泛應用于便攜式電子產品、消費類電子產品、醫療電子、工業控制和通信設備等領域，為電路設計提供低功率和小尺寸的解決方案。
