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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SK1984-01MR-VB一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 2SK1984-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 2SK1984-01MR-VB MOSFET 產品簡介

2SK1984-01MR-VB 是一款由VBsemi制造的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。這種器件具有高擊穿電壓(VDS 950V)和相對較高的電流能力(ID 6A),使其特別適用于高壓應用。該器件采用平面工藝技術,具有高耐壓和低導通電阻的特性。其主要設計用于高效開關電源、電機控制、以及其他要求高可靠性和高效率的應用。

### 2SK1984-01MR-VB 詳細參數說明

- **型號**: 2SK1984-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 950V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2400mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術**: 平面工藝

### 適用領域和模塊舉例

1. **開關電源(Switching Power Supplies)**:
  2SK1984-01MR-VB 在高效開關電源設計中表現出色,特別是那些需要高擊穿電壓和高電流能力的應用。由于其高擊穿電壓特性(950V),該MOSFET能夠在高電壓條件下穩定工作,并且其低導通電阻(2400mΩ)有助于提高電源轉換效率,減少能量損失。

2. **電機控制(Motor Control)**:
  在電機控制應用中,2SK1984-01MR-VB 可以用于控制電機的啟動和停止,調節電機的速度和方向。其高電流能力(6A)使其能夠處理電機啟動時的高電流需求,同時其高擊穿電壓確保在各種操作條件下的穩定性。

3. **逆變器(Inverters)**:
  該器件也適用于逆變器電路中,用于將直流電轉換為交流電。其高擊穿電壓和低導通電阻特性使其能夠在高功率應用中有效運行,提供可靠的性能和長壽命。

4. **工業自動化設備(Industrial Automation Equipment)**:
  在工業自動化設備中,2SK1984-01MR-VB 被用作開關元件,用于控制高電壓和高電流負載。其高可靠性和耐用性使其成為工業環境中各種應用的理想選擇。

這些應用場景展示了2SK1984-01MR-VB 在高壓、高電流需求下的優異性能和廣泛適用性。其特性使其成為在多種領域中實現高效、可靠電源轉換和控制的關鍵元件。

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