### 產品簡介

2SK1983-01-VB 是一款高壓、單N溝道MOSFET，采用TO220封裝。其設計采用了SJ_Multi-EPI技術，具有高效的開關性能和低導通電阻，適用于各種高壓應用場景。該MOSFET具有900V的漏源電壓（VDS）和1500mΩ的導通電阻（RDS(ON)）@ VGS=10V，能夠在較低的柵極電壓下提供可靠的導通性能。其最大漏極電流（ID）為5A，柵源電壓（VGS）為30V（±），門限電壓（Vth）為3.5V。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2SK1983-01-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 900V
- **柵源電壓（VGS）**: ±30V
- **門限電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 1500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域及模塊

2SK1983-01-VB MOSFET 具有高壓和高效的開關性能，適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理系統**：在高壓電源轉換器和開關模式電源（SMPS）中，該MOSFET可以有效地處理高電壓，并確保高效的能量轉換和低熱損失，適用于工業電源和計算機電源供應器。

2. **電機驅動**：在電機控制和驅動應用中，2SK1983-01-VB能夠提供高效的開關和控制特性，適用于工業自動化設備、電動車驅動系統和家電中的電機控制模塊。

3. **光伏逆變器**：在光伏發電系統中，逆變器需要處理高電壓和大電流，該MOSFET能夠滿足這些需求，確保系統的高效能量轉換和穩定運行。

4. **工業控制**：用于高壓控制系統中的開關和保護電路，2SK1983-01-VB能夠提供可靠的高壓開關性能，適用于工業自動化控制系統中的各種高壓開關應用。

通過這些應用示例，可以看出2SK1983-01-VB MOSFET 適用于需要高壓、高效開關特性的多種電子和工業應用場景。